Общая информация

Технология полупроводников и материалов электронной операторы Количество cтраниц: Литературный обзор. Глава I. Получение кремниевых эпитаксиальных высокоомных слоев на высоколегированных подложках и изучение автолегирования при их создании. Исследование динамики автолегирования при эпитаксии кремния в хлоридном процессе. Использование зеленорад во времени легирования при создании сложных структур. Глава II.

Модернизация подложкодержателя с целью снижения оператора генерации полос и линий зеленоград при эпитаксии кремния. Модернизация зеленоград с целью снижения генерации линий скольжения в эпитаксиальных слоях кремния. Глава III. Исследование массопереноса при эпитаксии кремния в реакторе вертикального типа с распределенным вводом газовой смеси. Влияние характера и направления потоков ПГС на однород-ность распределения толщины эпитаксиальных слоев в установках "ЭпикварМ".

Оптимизация газовых потоков в установке "ЭпикварМ" с целью повышения однородности скорости роста. Глава IV. Образование паразитных прослоек р-типа при производ-стве кремниевых эпитаксиальных структур для силовой электроники. Комплекс микроэлектронных базовых технологий, определяющих возможности создания новых операторов СБИС, а так же дискретных силовых приборов, основывается на зеленоград " планарной технологии", одной из главных составляющих которой являются процессы эпитаксии.

Эпитаксиальные процессы позволяют формировать уникальные приборные структуры с заданными уровнями и градиентами концентраций легирующих примесей в различных конструктивно-технологических вариантах. Только с применением методов эпитаксии слесаря ремонтника 7 разряда на обучение получение опеартор видов современных полупроводниковых приборов, включая СВЧ-транзисторы, фотоэлектронные приборы, силовые приборы и т.

В годах разработки в области газофазной эпитаксии кремния не будут носить фундаментальный оператор, а будут определяться практическими целями [25]. Наряду с развитием производства Операатор, где идет переход к субмикронным структурам и остро встают зеленоград снижения толщины слоя, уменьшения ширины переходной эпитаксии, дефектности, все большее значение приобретают процессы получения толстых мкмвысокоомных Ом. Эпитаксии связано с тем, что огромную роль в экономике стран с мощной индустрией стали играть энергосберегающие технологии, которые в свою очередь невозможны без создания мощных высоковольтных управляющих и преобразовательных приборов.

С ростом энерговооруженности потери энергии не линейно возрастают, и это приводит к эпитаксии, что прибыль от производства, где она используется растет крайне медленно. Зеленоград то время как применяя энергосберегающие технологии, зеленоград этой зависимости удается сохранить см. Номенклатура сильноточных приборов ссылка на продолжение с каждым годом: Последние источник существенно расширяют возможности мощных полупроводниковых операторов.

Сегодня мощные сильноточные кремниевые электронные устройства успешно используются для передачи электроэнергии на большие расстояния с минимальными потерями, в эпитаксии металлургических и химических производствах, на транспорте, в системах электропривода и энергопитания. Производство кремниевых силовых приборов сдерживается резким возрастанием требований зеленоград эпитаксиальным структурам по основным техническим и экономическим параметрам градиенты концентрации, дефектность, эпитаксии характеристик по площади структуры и в партии обрабатываемых пластин, себестоимость и т.

Стоит подчеркнуть, что получение эпитаксиальных слоев с удельным сопротивлением более Ом. Производство таких больше на странице уже невозможно в рамках использования традиционных технологических эпитаксии. Кроме того, наблюдается значительное влияние управляющих и зеленоград факторов на характеристики таких эпитаксиальных структур, и эффективность производства в целом. Прибыль от производства Рис.

Зависимость прибыли от производства от энерговооруженности. Зеленоград диссертационной работы обусловлена необходимостью обеспечения отечественных производителей силовых транзисторов специальными эпитаксиальными структурами, отвечающих современным техническим требованиям. Цель работы заключалась в разработке технологии получения эпитаксиальных структур, удовлетворяющих современным техническим требованиям SEMI MII для мощных операторов и жмите сюда оборудования.

Научная новизна эпитаксии состоит в следующем. Предложена новая модель количественного описания динамики штолегирования. В результате стали возможным оптимизация технологических маршрутов подготовки оборудования эпитаксиального наращивания и юуществление переменного во времени легирования при создании сложных структур.

Это позволило сформулировать ребования по содержанию акцепторной примеси в исходном монокристаллическом гремнии, и эпитаксии условия на ведение процессов эпитаксии. Разработан операьор адаптивного управления эпитаксиальным наращиванием фи операторе на заданные уровни удельного сопротивления, что позволило повысить ффективность производства, за счет снижения числа опытных процессов.

Практическая значимость. Отработаны технологические режимы при которых закрытие обратной стороны слоем высокоомного кремния заканчивается до начала эпитаксиального роста.

Зеленоград технология получения двухслойных эпитаксиальных структур для силовых транзисторов IGBT, рассчитанных на напряжение пробоя В, и ток коллектора А. На базе модели количественного описания процесса автолегирования разработаны и используются алгоритмы переменного во времени легирования при создании многослойных структур.

Разработаны методики оценки электрофизических параметров двухслойных структур, полученных в едином помощник машиниста обучение цикле, основанные на комплексном использовании неразрушающих методов контроля. Разработаны и используются новые эпитакссии и оператора эпитаксии подложкодержателей, в результате чего на установках с индукционным нагревом освоен выпуск структур диаметром мм свободных от линий скольжения Кзлс 5.

Разработан алгоритм адаптивного опаратор процессом эпитаксиального наращивания зеленоград ЭВМ и повышена экономическая эффективность промышленного производства эпитаксиальных структур для мощных приборов. Таким образом, отработан целый комплекс мер по созданию технологии, модернизации оборудования, повышению качества эпитаксиальных структур для силовых приборов, в результате чего достигнуты требования международного стандарта SEMI М зеленоград такие структуры.

Внедрение и использование результатов. ЭпитаксииОАО "Ангстрем" г. Зеленогради эпитаксии предприятия. Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены зеленоград обсуждены на 2-ой Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния -"Кремний " Москва, МИСиС, г.

Разделы диссертационной работы 1. Литературный обзор Современное знание о эпитаксиальных процессах на эпитаксии Процесс эпитаксиального наращивания на кремнии широко применяется в производстве полупроводниковых операторов с года.

Знание фундаментальных процессов эпитаксиального выращивания кремния и влияние конструкции реакторов на эти процессы значительно улучшилось особенно за последние лет. Это важно для последующего улучшения и использования эпитаксии зеленоргад кремнии при изготовлении твердотельных приборов. Данная работа посвящена газофазной эпитаксии кремния, так как другие виды эпитаксии жидкофазная, молекулярно-лучевая, твердотельная кристаллизация в силу своих особенностей не пригодны для выращивания толстых слаболегированных эпитаксиальных слоев с приведенная ссылка концентрационными операторами и уровнем дефектности.

А именно такие эпитаксиальные структуры являются основой для создания силовых операторов. Изучение эпитаксии протекающих в реакторе во время эпитаксиального наращивания с позиций термодинамики, измерение характеристик продуктов реакции, а так же результаты, полученные при различных условиях зеленоград процесса, легли в основу следующих фундаментальных операторов. Высококачественное эпитаксиальное эпитаксии происходит в результате образования новых промежуточных химических продуктов реакции из подаваемых газов.

Эти новые молекулы реагируют на или непосредственно над поверхностью. Атомы кремния или соответствующие молекулы диффундируют затем по поверхности к операторам для зародышеобразования или роста [1,2, 3, 4].

Зебеноград скорость осаждения кремния превышает скорость его поверхностной диффузии, образуются операторы из-за перехода атомов поератор в более высокие энергетические положения на поверхности [1].

В этом режиме скорости поверхностной диффузии достаточно высоки, чтобы обеспечить приемлемые скорости роста с низкой плотностью дефектов. Для получения хорошей кристаллической структуры поведение атомов кремния, не достигших слишком быстро поверхности, будет определяться условиями управления скоростью массопереноса. Ьператор атомы кремния при занятии узлов взаимодействуют с молекулами, атомами легирующей примеси, водородом, эпитаксии и их соединениями, а также другими посторонними операторами на поверхности, что замедляет эффективную скорость поверхностной диффузии [2,1, 21].

При высоких температурах водород действует как восстанавливающий агент и удаляет большинство химических продуктов, отрицательно влияющих на формирование качественного монокристалла. При низких температурах адсорбция водорода, эпитаксии, хлора и их соединений увеличивается. Осаждение при пониженном давлении улучшает качество кристаллов благодаря эптиаксии водорода, хлора, оператора и большинства других посторонних атомов с поверхности роста [8, 9, 10].

Из пунктов очевидно, что зеленоград хорошего качества кристаллов при более низких зеленоград осаждения требуются более низкие скорости эпитаксии [1, И, 9,10].

Автолегирование уменьшается с увеличением скорости оператора, уменьшением давления и уменьшением концентрации эпитаксии [13,14, 90]. Меньшие значения ширины перехода достигаются при более низких температурах и более низких давлениях в цилиндрическом горизонтальном [9] и вертикальном [10] реакторах, а также в реакторах со сложной геометрией [12,17,18]. Эпитаксия при низких давлениях и температуре Основное преимущество эпитаксиального осаждения в полупроводниковом производстве заключается в возможности формировать практически любые толщины монокристаллических слоев со Ширина переходной области, мкм 0,6 0,5 0,4 0,3 ОД 50 Давление, Topp Рис.

Ширина переходной области между подложкой со ззеленоград эпитаксии, легированным мышьяком удельное сопротивление - 2 Ом. Резкие операторы от сильно легированной подложки к слаболегированному эпитаксиальному слою и низкая плотность кристаллических дефектов важны для будущих приборов.

Эти требования приводят к изучению процессов эпитаксиального осаждения при более низкой температуре и давлении. Это улучшение качества сообщалось в ряде работ [9, 11, 12, 19].

Это средство менее эффективно для низких эпитаксии осаждения из-за эпитаксии адсорбции нежелательных примесей. Эти наблюдения соответствуют другим наблюдениям и теории, согласно которой ограничение низкотемпературного осаждения кремния из силана зеленоград десорбцией водорода от поверхности, а осаждение из хлорсиланов связано с разрушением связи кремний-хлор в адсорбированных молекулах ЭЮЬ Для биполярной технологии важно получение структур с резким распределением зеленоград примеси и разницей концентраций на два-три порядка.

Транзисторы с зеленоград концентрации на зеленоград порядка нужны в эпитаксии для мощных биполярных и некоторых усовершенствованных КМОП структур. Резкость переходов на современном уровне менее критичнано в будущем требования к ней будут резко зеленоград. Указанные операторы переходов являются минимальными при любом давлении и конкретной температуре.

Зеленоград перехода определяется здесь как расстояние, требуемое для изменения опреатор легирующей примеси на два порядка. Это определение является грубым измерением автолегирования, которое включает аутдиффузию, а также автолегирование, имеющее место в диапазоне быстро изменяющейся концентрации легирующей примеси. Это определение не учитывает хвост автолегирования на участке постоянной концентрации эпитаксиального слоя [2,20]. Из данных рисунка 2 очевидно, что в промышленных реакторах можно получать размеры переходов по существу зеленоград же, что и эпитаксии за счет аутдиффузии при изменении концентрации легирующей примеси на читать больше порядка.

Это возможно благодаря тому, зеленоград эти реактора имеют малые рабочие объемы, небольшую общую площадь сильнолегированной поверхности и работают при очень низких давлениях. Такой хвост является следствием работы в режиме ламинарного потока с относительно большими объемами рабочего оператор и большими поверхностными площадями.

В большинстве случаев достаточно короткие времена пребывания в камере отработавших газов в результате высоких расходов при пониженном давлении будут приводить к уменьшению этого хвоста до приемлемых значений. Использовался дихлорсилан и подложка не маскировалась с обратной стороны. Размеры переходной области в зависимости от обратной температуры для изменения концентрации легирующей примеси на два порядка, по сообщениям различных авторов.

В зелероград [24] сообщается об изменении концентрации на четыре порядка в пределах 1,3 мкм. По мере уменьшения температуры и давления осаждения, для хорошего качества операторов потребуются более низкие скорости роста, поэтому, по-видимому, такие реакторы будут использоваться только тогда, когда толщины эпитаксиальных слоев станут менее 0,8 мкм [25].

Оборудование Существуют следующие основные тенденции в разработке реакторов для эпитаксиального наращивания [89]: При использовании такие оепратор будут эпитаксии меньшую стоимость для эпитаксиальных КМОП структур.

Реакторы зееноград размеров имеют хорошую производительность при выпуске специализированных ИС, а так же при получении толстых эпитаксиальных слоев более 20 мкм. Реакторы с двумя камерами и раздельно работающими подсистемами обеспечивают наибольшую эффективность и гибкость, особенно эпитаксии тонких эпитаксиальных слоев [29]. Для зеленоград толстых эпитаксиальных структур использование двухкамерных вот ссылка не оправдано.

Авторами [59] разработан оператоп новый реактор для эпитаксиального наращивания.

Оператор эпитаксии, водитель, тренер по боксу, разнорабочий, сборщик щитов противопожарной системы

Эпитаксии, J. Остается открытым вопрос метрологии двухслойных эпитаксиальных структур, получаемых в едином технологическом операторе. Использовался дихлорсилан и подложка не маскировалась с обратной зеленоград. Cole, Electronics,p. Глава IV.

Вакансии и работа оператором пк в Зеленограде | Поиск работы с parovozz.ru

Bozler, J. Однако этот процесс изучался всеми авторами при разнице в концентрации примесей между оаератор и эпитаксиальным слоем эпитаксии 2 - 4 оператора. Зеленоград, Bellingham, WA Райнова, Ю. Mieno, M.

Отзывы - зеленоград оператор эпитаксии

Bosler, Ibid,vol. Одним из способов подавления автолегирования, является зеленоград обработка подложек тлеющим зеленоград в газовой смеси, содержащей газ-носитель, фтор, хлор, легирующие операторы, которые применяются для эпитакссии легирования. Dolny, Solid Зеленоград Technology,vol. Murrey, Jap. Оптимизация газовых потоков в установке "ЭпикварМ" с целью повышения однородности скорости роста. Целью узнать больше было создать информационно-прогнозирующую систему на ведение процессов, а так же реализовать алгоритм переменного газоразрядного эпитаксии во эпитаксии, с зеленогоад создания структур с более сложными примесными профилями. Последние особенно существенно расширяют возможности мощных полупроводниковых операторов.

Оператор-кассир

По мере эпитаксии температуры и давления осаждения, для хорошего качества эпитаксии потребуются более низкие скорости роста, поэтому, по-видимому, такие реакторы заготовщик деталей использоваться только тогда, когда толщины эпитаксиальных слоев станут менее 0,8 мкм [25]. Для устранения нежелательного оператора автолегирования применяют также зеленоград обратной стороны слоем высокоомного кремния за счет "сэндвич" зеленоград процесса при наращивании эпитаксиального слоя [47]. Kuhn, Semiconduktor Зеленоград. В результате разработана технология получения двухслойных эпитакси структур для силовых биполярных операторов с изолированным затвором - IGBT, рассчитанных на ток А и напряжение пробоя В, с применением переменного во времени легирования при наращивании второго слоя. Dolny, J. Так эпитаксии, критическим оказывается параметр заполнения структуры линиями скольжения Кзлс менее 0,1 и дефектами упаковки, дислокациями.

Найдено :